2000年毕业于南京大学，2003年获香港大学硕士，2007年获英国Strathclyde大学博士。
2008-2013日本立命馆大学历任日本学术振兴会JSPS博士后及高级研究员（名西研究室Nanishi Lab）；
2013-2016日本千叶大学副教授（吉川研究室Yoshikawa Lab）；
2016-2018日本国立理化学研究所（RIKEN）研究员（平山量子光器件研究室 Hirayama Lab）；
2018年起南京大学电子学院教授，RIKEN客座研究员。
长期从事半导体光电材料与器件的前沿研究，主要包括宽禁带氮化物半导体的材料外延生长，物性分析，新型光电器件，尤其是氮化物分子束外延生长（MBE）技术。在 Appl. Phys. Lett.、Phys. Rev. B.、Scientific Reports、Appl. Phys. Express. 等重要学术刊物上发表SCI 论文34篇，EI论文4篇， 其中第一及通讯作者21篇。为Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.、Appl. Phys. Express.、AIP Advance, Opt. Express 等学术刊物的审稿人。做国际会议邀请报告10余次、演讲30余次。主持国家自然科学基金项目一项，在日期间主持日本学术振兴会项目两项，参与日本学术振兴会、日本科学技术振兴机构等大型项目七项，对氮化物半导体的一些前沿难题进行了深入研究，涵盖高铟组分InGaN和高铝组分AlGaN 的MBE生长机制、p-型掺杂控制、材料物性、超晶格、太阳电池等。近年重点研究AlGaN深紫外发光器件，以及GaAs系和GaN系量子级联激光器等。
