2026年5月19日，备受瞩目的“长三角第三代半导体青年学者论坛”在南京大学仙林校区隆重举办。本次论坛由江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室与江苏第三代半导体研究院联合主办，汇聚了来自我国长三角地区乃至两岸三地的众多知名高校、科研院所及行业领军企业的杰出青年学者与专家，共同探讨第三代半导体领域的前沿技术突破与未来产业发展机遇。
论坛由南京大学教授、江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室主任陆海主持。南京大学郑有炓院士、台湾大学杨志忠教授、江苏第三代半导体研究院徐科研究员、中国科学院苏州纳米所孙钱研究员、中国科学技术大学龙世兵教授、浙江大学皮孝东教授、东南大学张雄教授、江南大学敖金平教授、南京邮电大学唐为华教授、南京大学陈敦军教授、叶建东教授、修向前教授等50余位代表出席了本次论坛开幕式与系列专题报告。论坛报告涵盖了氮化镓、碳化硅、氧化镓、金刚石等主要第三代半导体材料，涉及到从材料生长、器件研制、模块开发到热管理等多方面的最新核心技术研究进展。
在学术交流环节，中科院苏州纳米所冯美鑫研究员做了《氮化镓基半导体激光器研究进展》的专题报告；南京大学电子科学与工程学院徐尉宗副教授做了《宽禁带半导体基极端性能单光子-单电子探测器与参量分析芯片研究》的专题报告；浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院宋立辉研究员做了《具有物理不可克隆函数防伪功能的4H-SiC紫外光电探测器》的专题报告；香港大学电机与计算机工程系巩贺贺博士后研究员做了《氧化镓电-热-应力协同封装及兆瓦级功率模块研究》的专题报告；中国科学院苏州纳米所徐俞项目研究员做了《二维材料上氮化物外延生长机理研究》的专题报告；中国科学技术大学集成电路学院/微电子学院徐光伟特任教授做了《氧化镓功率器件电场调控研究进展报告》的专题报告；复旦大学未来信息创新学院沈超研究员做了《高速氮化镓基半导体激光器与光子集成研究进展》的专题报告；中国电科五十五所超宽禁带半导体技术负责人郁鑫鑫高级工程师做了《金刚石微波器件研究进展》的专题报告；南京大学电子科学与工程学院毓秀青年学者许非凡博士后做了《氮化镓基微发光器件与芯片研究进展》的专题报告。在报告的问答环节，与会专家和学者进行了热烈的学术讨论。
在学术报告后的自由讨论环节，与会代表充分肯定了本次论坛对第三代半导体研究的重要促进作用，强调长三角地区作为我国集成电路产业的重要高地，应进一步加强跨区域协同创新，发挥青年学者在推动半导体科技创新中的生力军作用，实现我国第三代半导体关键核心技术的自主可控与创新引领。
