第三代半导体材料与装备技术

研究宽禁带半导体单晶衬底与晶片加工关键设备、高质量低缺陷密度半导体衬底技术、大尺寸GaN基材料外延及可控掺杂技术。聚焦第三代半导体产业发展需求，发展高性能衬底材料制备技术，实现高质量基础半导体材料自主可控。

半导体光电显示与探测技术

研究微小尺度LED芯片制备与显示集成技术、InGaN基红光Micro-LED外延与芯片制备技术、高灵敏度紫外探测与成像芯片技术、高能量分辨软x射线探测芯片与模块技术，推进高能效光电显示与探测芯片的产业化，满足我国重大装备工程需求。

宽禁带半导体功率电子器件技术

研究高耐压宽禁带半导体功率器件技术、宇航基抗辐照GaN器件技术、高能效功率模块与电源技术、集成芯片与先进封装技术。面向新能源汽车、智算中心、航空航天等产业应用需求，发展高能效、抗辐照、高可靠性宽禁带半导体功率电子技术。

前沿半导体器件与异质集成

研究氧化镓和金刚石等超宽禁带半导体材料生长与器件制备关键技术、宽禁带半导体与其他半导体的异质集成技术、二维/有机等前沿半导体材料的制备与新概念器件。探索新器件物理，突破传统半导体材料性能限制，实现极端性能器件