近日，国际电子器件大会（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2026）正式公布了本届会议的论文收录结果。江苏第三代半导体与高能效器件重点实验室（依托南京大学等单位联合建设）凭借在第三代与超宽禁带半导体材料及器件领域的突破性研究成果，共有3篇高水平学术论文成功入选，在中国大陆科研机构/实验室中并列第7位，充分彰显了实验室在宽禁带/超宽禁带半导体器件研发领域的领跑实力！
了解IEDM：微电子领域的“奥林匹克”
IEDM是全球微电子与半导体器件领域顶级、最具影响力的年度学术盛会，被公认为半导体器件领域的“奥林匹克盛会”。涵盖了从先进逻辑与存储器件、三维集成、功率与射频器件，到量子计算、光电子学及新兴宽禁带/超宽禁带半导体器件等最前沿的技术方向。
每年IEDM发布的成果均代表了全球半导体学术界与工业界的最高研究水平与未来技术风向，是各大高校、科研院所以及英特尔、台积电、三星等国际半导体巨头展示核心技术实力竞争的主战场。
入选论文精彩解读
1. 暗计数率骤降两个数量级！新型SiC探测器开启极微弱紫外光探测新时代
Ruide Liu et al.，Achieving Tens-of-Hz-Level Dark Count Rate in SiC UV SPADs at Room and Elevated Temperatures
简介：碳化硅紫外单光子雪崩探测器长期面临探测效率与暗噪声相互制约的技术瓶颈，限制其在极端工况下的实际应用。研究团队创新提出新型器件结构，重构器件内部电场分布，在保障单光子探测能力的前提下有效抑制暗计数噪声。器件兼具优异的室温噪声性能与高温稳定性，噪声指标较传统同类器件实现大幅提升，为高温、复杂环境下的极微弱紫外单光子探测提供了全新的器件设计思路与技术路径。
2. 突破像素阵列束缚，实现传感-空间计算一体化成像
Yue Guo et al.，A Symmetry-Broken Semiconductor Drift Chamber with 0.1 e⁻ Noise Charge Enabling Pixel-Free In-Sensor Spatial Computing and 25-ns Shot Imaging
简介：针对传统像素阵列成像系统电路复杂、拓展受限的技术瓶颈，团队利用碳化硅材料特性创新设计新型探测器架构，通过物理机制实现空间信息直接编码，抑制热噪声干扰，达成高速信号输出，可在无像素条件下完成成像重建。器件兼具优异的高温、抗辐照可靠性，为传感 计算融合的新型成像芯片提供了创新的实现方案。
3. 纳米级4D电子束断层扫描：实现氧化镓功率器件缺陷诊断与原位自愈
Xinyi Pei et al.，4D Electron-Beam Tomography for Failure-Critical Defect Diagnosis and In-situ Healing in Operating Power devices
简介：针对超宽禁带功率器件缺陷诱发提前失效、现有手段难以实现工作器件非破坏性缺陷定位与修复的技术难题，团队开发电子束多维断层探测技术，实现工作器件内部失效缺陷的解析定位，并完成原位定点缺陷钝化处理，改善器件漏电与耐压性能。该闭环方案为高可靠功率器件可靠性工程开辟新路径。
彰显硬核实力，引领第三代半导体前沿
江苏第三代半导体实验室在IEDM 2026上展现的三项高水平成果，全面涵盖了第三代宽禁带半导体材料加工、器件结构设计、精准诊断修复及高极限性能探测等多个核心领域。
未来，实验室将继续立足国家重大战略需求与半导体产业前沿，持续攻克第三代半导体领域的“卡脖子”关键技术，为我国半导体产业的高质量自主发展注入不竭的创新动能！
