2025年12月10日，马来西亚理科大学（Universiti Sains Malaysia, USM）Assoc. Prof. Ts. Dr. Mohd Syamsul Nasyriq、Assoc. Prof. Ir. Dr. Mohamed Fauzi Packeer Mohamed等相关研究人员访问南京大学电子科学与工程学院，电子科学与工程学院刘斌院长、周海波院长、陶涛副教授、蔡青副教授等师生参加该会议。双方围绕氮化镓与金刚石光电子器件等方向的科研进展、平台建设与潜在合作展开深入讨论。交流会上，刘斌院长代表学院对USM一行的到来表示热烈欢迎，并从历史积淀、学科布局、师资力量、人才培养及产学研合作成效等方面，全面介绍了南京大学电子科学与工程学院的发展情况。学院积淀深厚、学科齐全，覆盖微纳电子、光电子、集成电路等多个前沿方向，汇聚了包括院士、国家级领军人才在内的高水平师资队伍，累计培养上万名电子信息专业优秀人才。近年来，学院通过共建联合实验室、定制化人才培养等多元化模式深化产学研合作，多项核心技术成功实现产业化转化。双方期待以此次访问为契机，在联合科研攻关、平台资源共享等方面建立更紧

施毅，男，1962年9月生于江苏宜兴，籍贯江苏大丰。现为南京大学电子科学与工程学院教授、博士生导师、微电子学院院长等。2002年获国家杰出青年科学基金，2006年入选国家级领军人才等。2025年11月当选为中国科学院院士。施毅教授1983年在国防科技大学获得应用物理学学士学位，1986和1989年在南京大学分别获得物理学硕士和博士学位。1989年留校任教，1995年晋升教授。历任南京大学物理系主任、先进技术研究院常务副院长、电子科学与工程学院院长、微电子学院院长。曾在日本东北大学、东京大学、美国加州大学伯克利分校、麻省理工学院等作访问研究。现任教育部科技委委员、国务院学位委员会电子科学与技术学科评议组成员、江苏省电子学会理事长等学术兼职。施毅教授长期从事微电子科学与技术的基础研究和人才培养，面向国家发展需求，承担系列重大科技项目，在半导体纳米科技领域，特别是半导体表界面物性调控、材料和器件方面作出了开创性和系统性贡献。荣获国家自然科学二等奖2项（分别排1和3）、国家教学成果二等奖（排1）、江苏省科技进步奖一等奖（排1）和其他省部级科技进步奖5项。发表SCI论文700余篇（包括，Natu

11月10日，由南京市科学技术局指导，南京市科技成果转化服务中心、南京大学科学技术研究院、江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室、驻南京大学科技成果转化服务工作小分队及栖霞区科学技术局联合主办的 “科创红桥 校企双进” 系列活动，在江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室成功举办。本次活动聚焦第三代半导体与高能效器件领域创新成果转化，搭建高校科研力量与企业需求对接的精准平台，吸引了来自省内相关领域的数十家企业代表参与。有序开启：签到环节筑牢活动基础活动伊始，参会企业代表陆续抵达实验室签到现场。签到间隙，企业代表们围绕行业发展趋势、技术痛点等话题初步交流，现场氛围热烈，为后续活动开展奠定良好基础。实地探访：实验室参观展现科研实力随后，在江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室负责人谢自力教授的带领下，企业代表开启实验室实地参观之旅。从核心实验区的先进检测设备，到设备陈列区的定制化研发装置，再到成果展示区的技术落地样品，谢教授沿途细致讲解各区域功能、关键设备应用场景及技术研发逻辑。面对企业代表提出的 “器件稳定性测试方法”“成果产业化适配难点” 等问题，谢教授逐一解答，让企业直观感受到实

10月28日，江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室成功举办高水平学术报告会，特邀台湾大学电机工程学系讲座教授杨志忠与台湾大学杨少波博士联合主讲。报告以 “Pre-strain Growth of InGaN/GaN Quantum Well and Involved Inter-well Short-range Energy Transfer”（InGaN/GaN量子阱的预应变生长及其涉及的阱间短程能量转移）为主题，深度解析第三代半导体材料领域的关键技术突破与应用前景。参加报告会的还有南京大学电子科学与工程学院院长刘斌教授、副院长陈敦军教授、副院长叶建东教授及其他专家学者。杨志忠教授长期引领 GaN 基半导体材料研究，其团队在量子阱结构设计、LED 技术革新领域成果斐然，多节纳米柱 LED、表面电浆耦合发光器件等技术达国际领先水平。报告中，他率先剖析 InGaN/GaN 量子阱的行业痛点，系统阐述预应变生长技术的突破逻辑：通过引入预应变插入层调控压电极化场，将量子限制斯塔克效应（QCSE）削弱 40% 以上，从根源解决电子——空穴空间分离导致的发光效率衰减问题。杨少波博士作为台湾大